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IC电性特性分析 质量及故障分析 奈米级探针量测 宜特公司

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更新时间:2017-05-22
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奈米级探针量测(Nano Prober)

随着IC 制程微小化,组件密度提升,微区电性量测是IC组件研究发展中不可或缺的技术。Nano-probing技术即在扫瞄式电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)其高倍率观察下,以奈米操控器搭配Keithley 4200量测系统,能直接提供单一晶体管的电性曲线,相较于导电性原子力显微术(Conductive Atomic Force Microscopy, CAFM),由于SEM能提供及时影像因此能快速找到欲量测位置。此外,在SEM真空环境下进行电性量测,能避免外界环境的噪声干扰,对于半导体组件故障分析及其在奈米尺度下之研究发展均能提供直接且快速的信息。  

应用:

  • 组件电性特性分析

  • 组件质量及故障分析

  • 微机电及IC微结构研究

机台规格/ 极限:

  • 场发射扫瞄式电子显微镜
    【厂牌型号】:JSM-6700F (JEOL)

  • 电流电压量测系统
    【厂牌型号】:Keithley Model 4200-SCS

  • 微电探针量测系统
    【厂牌型号】: Zyvex

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关于宜特:

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